[发明专利]功率半导体模块

摘要

提供功率半导体模块，在绝缘基板下产生空隙时抑制电晕放电、提高绝缘性。以硬钎焊料(8‑2)的端部(8‑2e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为a，以助焊剂(11)的软钎焊料(9‑2)侧的端部(11e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为b，则a小于b。软钎焊料(9‑2)的端部位置被助焊剂(11)限制，硬钎焊料(8‑2)的绝缘基板(2)的侧面一侧端部(8‑2e)的位置，相比于软钎焊料(9‑2)的绝缘基板(2)侧面一侧的端部位置，更接近绝缘基板(2)侧面一侧。即使硬钎焊料(8‑2)与软钎焊料(9‑2)之间产生空隙，因硬钎焊料(8‑2)及软钎焊料(9‑2)同为接地电势而抑制电晕放电。

主权项

1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括：绝缘基板，表面电极及背面电极，所述表面电极及背面电极分别介隔着表面硬钎焊料及背面硬钎焊料固定在所述绝缘基板的表面及背面，功率半导体芯片，所述功率半导体芯片介隔着表面软钎焊料与所述表面电极相连，背面软钎焊料，所述背面软钎焊料形成在所述背面电极的与所述绝缘基板侧的相反侧的面上，金属底座，所述金属底座上配置有所述背面软钎焊料，介隔着所述背面软钎焊料固定有所述背面电极，软钎焊料流淌阻挡部，所述软钎焊料流淌阻挡部形成于所述金属底座的配置有所述背面软钎焊料的表面，绝缘壳体，所述绝缘壳体内容纳有所述绝缘基板、所述表面电极、所述背面电极、所述功率半导体芯片及所述金属底座，以及绝缘树脂，所述绝缘树脂填充在所述绝缘壳体内；其中，所述绝缘基板、所述表面软钎焊料、所述表面电极、所述背面硬钎焊料、所述背面电极以及所述背面软钎焊料在上下方向上层叠，所述背面硬钎焊料的端部的左右方向位置与所述绝缘基板的端部的左右方向位置之间的差，小于所述软钎焊料流淌阻挡部的对着所述背面软钎焊料左右方向端部的端部位置与所述绝缘基板的端部的左右方向位置之间的差。