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- [发明专利]功率半导体模块-CN201880050808.7有效
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川村大地;增田彻;楠川顺平
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株式会社日立功率半导体
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2018-07-19
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2023-09-05
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H01L23/28
- 本发明提供一种功率半导体模块，即使在为了实现功率半导体模块的大容量化且保证高绝缘可靠性而扩大绝缘基板上的表面电极的面积，使沿面距离缩小的情况下，也能够防止因沿面放电引起的短路击穿。功率半导体模块(100)的特征在于，具有：绝缘基板(2)，其在表背面上设有第一电极(7‑1)和第二电极(7‑2)；功率半导体芯片(1)，其与第一电极(7‑1)接合；金属基座(3)，其与第二电极(7‑2)接合；绝缘壳体(5)；以及硅凝胶(6)，其配置于由金属基座(3)和绝缘壳体(5)形成的空间内且密封绝缘基板(2)和功率半导体芯片(1)，绝缘基板(2)的互相对置的侧面彼此或与绝缘基板(2)对置的绝缘壳体(5)的侧面和绝缘基板(2)的侧面通过硬质树脂(8)接合，硬质树脂(8)覆盖缘基板(2)从第一电极(7‑1)露出的部分的一部分及绝缘基板(2)的侧面的一部分。
- 功率半导体模块
- [发明专利]半导体器件-CN202180069271.0在审
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木下昂洋;森川贵博;村田龙纪;安井感
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株式会社日立功率半导体
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2021-11-18
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2023-07-28
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H01L29/06
- 本发明提供一种半导体器件，其容易制造，能够缓和设置在有源区域端部的栅极沟槽处的电场保护层上被施加的电场、提高雪崩耐压。本发明半导体器件(10)包括有源区域(1)和配置在有源区域(1)的外周的终端区域(2)，有源区域(1)具有多个栅极沟槽(41)、设置在栅极沟槽(41)内的沟槽栅电极(40)以及设置在栅极沟槽(41)以外的部分的P主体层(8)，其特征在于，在有源区域(1)的栅极沟槽(41)的底部具有电场保护层(5)，在有源区域(1)与终端区域(2)之间具有电场缓和层(3)，电场缓和层(3)的底面比电场保护层(5)的底面浅，且电场缓和层与P主体层(8)电连接。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体模块-CN202180076704.5在审
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芦田喜章;川濑大助;佐佐木康二
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株式会社日立功率半导体
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2021-10-15
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2023-07-18
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H01L23/28
- 本发明提供一种具有功率半导体芯片的半导体模块，其为粘接于基底的树脂制壳体的粘接位置的偏差小且能够降低壳体与基底粘接部的应力的组装品质及可靠性高的半导体模块。该半导体模块具有：基底；绝缘基板，其接合于上述基底；半导体芯片，其接合于上述绝缘基板；以及壳体，其通过粘接材料粘接于上述基底，该半导体模块的特征在于，上述基底由板状的第一材料和覆盖上述第一材料且线膨胀系数比上述第一材料的线膨胀系数大的第二材料构成，在俯视上述基底的情况下，上述第二材料具有：第一区域，其配置于上述基底的角部；以及第二区域，其配置于上述基底的外周部且宽度比上述第一区域的宽度窄，上述壳体覆盖上述基底的侧面的至少一部分，至少在上述基底的上表面通过上述粘接材料与上述基底粘接，并且，上述壳体的线膨胀系数比上述第一材料的线膨胀系数大，在将从上述基底的边的中央到上述基底的端部的长度设为L1，将从上述基底的边的中央到上述第一区域与上述第二区域的边界的长度设为L2时，L1‑L2比上述基底的板厚厚，在将从上述基底的边的中央到上述基底的侧面上的粘接上述基底和上述壳体的上述粘接材料的上述基底的上述角部侧的端部的长度设为L3，且在上述基底的侧面没有上述粘接材料的情况下，在设定为L3＝0时，满足L3≥L2或L2‑L3≥L1‑L2。
- 半导体模块
- [发明专利]功率半导体装置-CN202180074786.X在审
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楠川顺平;井出英一;三间彬
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株式会社日立功率半导体
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2021-11-25
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2023-07-18
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H01L23/28
- 本发明提供一种功率半导体装置，在主端子被加热时，防止以在主端子与密封树脂之间产生的空隙、因从半导体装置外部通过密封树脂侵入的水蒸气而产生的空隙为起点的局部放电，小型且可靠性高。功率半导体装置(100A)具备绝缘基板(1)、设置于绝缘基板(1)的表面的半导体元件(2)以及密封半导体元件(2)的凝胶状的第一绝缘材料(8)，其特征在于，具有用于将半导体元件(2)与外部设备电连接的板状端子(5)，板状端子(5)的被第一绝缘材料(8)包围的部分全部由硬度比第一绝缘材料(8)高的第二绝缘材料(10)被覆。
- 功率半导体装置
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180071701.2在审
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池田靖;中村真人
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株式会社日立功率半导体
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2021-10-14
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2023-06-27
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H01L21/60
- 一种半导体装置(20)，具有：二极管元件(1)，其具备具有电极(1c)的主面(1a)和具有电极(1d)的背面(1b)；散热基座(12)，其与二极管元件(1)对置配置；Cu引线(11)，其与二极管元件(1)对置配置；接合材料(6)，其将二极管元件(1)的背面(1b)与散热基座(12)接合；以及接合材料(5)，其将二极管元件(1)的主面(1a)与铜引线(11)接合。设置于二极管元件1的背面(1b)侧的接合材料(6)是熔点高于260℃且热膨胀率比Zn‑Al系焊料小的无铅焊料，设置于二极管元件(1)的主面(1a)侧的接合材料(5)由熔点高于260℃的高熔点金属和Sn与上述高熔点金属的化合物构成。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]功率半导体模块以及电力变换装置-CN202180057429.2在审
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增田彻;早川诚一;高柳雄治
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株式会社日立功率半导体
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2021-04-19
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2023-05-12
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H01L25/07
- 提供一种功率半导体模块，是将配置于同一基板上的多个功率半导体芯片进行多并联连接而构成的功率半导体模块，能够在减少基板上的芯片配置面积的同时减少模块内的布线电感。特征在于具备：第1绝缘基板；多个半导体开关元件，配置于所述第1绝缘基板上；第2绝缘基板，夹着所述多个半导体开关元件而与所述第1绝缘基板对置地配置；多个第1间隔件导体以及多个第2间隔件导体，配置于所述多个半导体开关元件与所述第2绝缘基板之间，成为所述多个半导体开关元件与所述第2绝缘基板之间的间隔件；以及间隔件导体间布线部，与所述多个第2间隔件导体一体地形成，将所述多个第2间隔件导体的各第2间隔件导体进行电连接，所述多个半导体开关元件各自具有第1电极以及设置于与所述第1电极相反的一侧的第2电极及控制电极，所述第1电极与设置于所述第1绝缘基板上的第1导体层电连接，所述第2电极经由所述第1间隔件导体而与设置于所述第2绝缘基板上的第2导体层电连接，所述控制电极通过所述第2间隔件导体以及所述间隔件导体间布线部而相互电连接，所述间隔件导体间布线部与所述第2导体层以具有预定的距离的方式对置地配置。
- 功率半导体模块以及电力变换装置
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