[发明专利]氧化物半导体装置以及其制作方法有效
| 申请号： | 201811213723.4 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111081773B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 黄仁柏;赖建铭;陈彦臻;黄圣尧;陈慧玲;廖星华;方汉川 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种氧化物半导体装置以及其制作方法，该氧化物半导体装置包括一基底、一第一图案化氧化物半导体层、一源极电极、一漏极电极以及一侧壁间隙壁。第一图案化氧化物半导体层设置于基底上。源极电极与漏极电极设置于第一图案化氧化物半导体层上。侧壁间隙壁设置于第一图案化氧化物半导体层的一侧壁上。侧壁间隙壁可用以改善阻挡杂质由侧壁进入第一图案化氧化物半导体层的效果，由此提升氧化物半导体装置的电性表现与可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811213723.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多功能精子质量分析系统
- 下一篇：一种纸制品加湿装置
- 同类专利
- 专利分类
