[发明专利]造型方法和造型粉末材料在审

专利信息
申请号: 201811153237.8 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN109607537A 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 木谷耕治;沖仲元毅;三木勉 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C01B32/956 分类号: C01B32/956;C01B35/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘强
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供造型方法和造型粉末材料。一种造型方法,包括基于造型对象物的形状数据,用能量束照射含有碳化硅和金属硼化物的粉末,以进行造型,其中金属硼化物具有低于碳化硅的升华点的熔点。
搜索关键词: 造型 金属硼化物 粉末材料 碳化硅 熔点 能量束照射 形状数据 造型对象 升华点
【主权项】:
1.一种造型方法,包括:基于造型对象物的形状数据,用能量束照射含有碳化硅和金属硼化物的粉末,以进行造型,所述金属硼化物具有低于所述碳化硅的升华点的熔点。
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  • 汪冬梅;吴玉程;汤文明;郑治祥 - 合肥工业大学
  • 2016-05-03 - 2018-08-07 - C01B32/956
  • 本发明涉及一种纯化SiC粉料晶体结构与改善其圆整度的方法,包括以下步骤:a、将SiC粉料置于高温箱式电阻炉中,升温至1300~1600℃于空气中煅烧3~7h后,随炉冷却至室温;b、加入混合酸搅拌10~12h后,静置12~24h,用去离子水清洗至pH值为7.0后烘干;c、将SiC粉料置于高温烧结炉中,升温至1800~2200℃于氩气中煅烧3~7h,随炉冷却至室温;d、加入混合酸中搅拌10~12h,静置12~24h,去离子水清洗至pH值为7.0后于烘干。本发明的方法提高SiC晶体的结晶度,改善SiC颗粒的异构体现象,从而降低晶体结构和几何外形等缺陷对后续所制备的SiC/Al复合材料性能影响。
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