[发明专利]一种半导体变容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201810980459.0 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109326655B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;方孺牛;缪旻;金玉丰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L27/10;H01L21/82;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体变容器及其制造方法，该半导体变容器包括具有相对的第一表面和第二表面的衬底、衬底上的深孔、与衬底导电类型相反的第一高掺杂区和相同的第二高掺杂区、衬底的第一表面上的介质层和控制电极；深孔可为盲孔或通孔，填充有绝缘层和导电材料；控制电极位于介质层之上，并且两者的外缘与绝缘层和第一高掺杂区邻接。本发明通过利用两个金属‑氧化物‑半导体结构来实现变容器，使得变容器的可调范围和调制电压可以分别设计优化，具有较好的灵活性且制作工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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