[发明专利]扫描电子显微镜的污染检测方法在审
| 申请号： | 201810830214.X | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109037093A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈灵 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/28 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种扫描电子显微镜的污染检测方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质抗反射层；将所述半导体衬底置于所述扫描电子显微镜所处的真空环境中，使所述半导体衬底充分暴露在所述真空环境中；在所述介质抗反射层上形成光刻胶图形；通过所述扫描电子显微镜获取形成有光刻胶图形的半导体衬底的表面图像；基于所述半导体衬底的表面图像检测所述光刻胶图形的缺陷。本发明技术方案可以监控扫描电子显微镜对半导体产品的污染影响。 | ||
| 搜索关键词： | 扫描电子显微镜 衬底 半导体 光刻胶图形 介质抗反射层 表面图像 污染检测 真空环境 半导体产品 污染影响 监控 暴露 检测 | ||
【主权项】：
1.一种扫描电子显微镜的污染检测方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质抗反射层；将所述半导体衬底置于所述扫描电子显微镜所处的真空环境中，使所述半导体衬底充分暴露在所述真空环境中；在所述介质抗反射层上形成光刻胶图形；通过所述扫描电子显微镜获取形成有光刻胶图形的半导体衬底的表面图像；基于所述半导体衬底的表面图像检测所述光刻胶图形的缺陷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810830214.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶圆外观检测机
- 下一篇：基板处理装置和制造集成电路器件的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
