[发明专利]扇出型半导体封装件有效

专利信息
申请号: 201810755207.8 申请日: 2018-07-11
公开(公告)号: CN109427719B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 朴昌华;柳嘉映;金相我;崔宥琳 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 汪喆;马翠平
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有有效表面和无效表面,所述有效表面上设置有连接焊盘,所述无效表面与所述有效表面背对;包封剂,包封所述半导体芯片的至少部分;及连接构件,所述连接构件包括第一绝缘层、第一重新分布层、第一过孔及第一绝缘膜,所述第一绝缘层设置在所述半导体芯片的所述有效表面上,所述第一重新分布层设置在所述第一绝缘层上,所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层并且使所述连接焊盘和所述第一重新分布层彼此电连接,所述第一绝缘膜覆盖所述第一绝缘层和所述第一重新分布层。所述第一绝缘膜包括硅基化合物。
搜索关键词: 扇出型 半导体 封装
【主权项】:
1.一种半导体封装件,包括:半导体芯片,具有有效表面和无效表面,所述有效表面上设置有连接焊盘,所述无效表面与所述有效表面背对;包封剂,包封所述半导体芯片的至少部分;及连接构件,包括:第一绝缘层,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上;第一重新分布层,设置在所述第一绝缘层上;第一过孔,贯穿所述第一绝缘层并且使所述连接焊盘和所述第一重新分布层彼此电连接;及第一绝缘膜,覆盖所述第一绝缘层和所述第一重新分布层,其中,所述第一绝缘膜包括硅基化合物。
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