[发明专利]SRAM写操作追踪电路有效
| 申请号： | 201810665700.0 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634518B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 史增博;方伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李笑笑;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SRAM写操作追踪电路，包括：模拟存储单元电路，与补偿电路耦接，适于模拟SRAM存储单元；补偿电路，输入端与所述模拟存储单元电路的内部存储节点输出端耦接，输出端与时钟产生电路耦接，适于对所述模拟存储单元电路的内部存储节点输出端的输出电压进行补偿，以增加所述内部存储节点输出端的输出电压从高电平跳变至低电平的延时。上述方案可以增加写追踪电路的开启时间，避免出现写电路无法正常写入的情况出现。 | ||
| 搜索关键词： | sram 操作 追踪 电路 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM写操作追踪电路，其特征在于，包括：/n模拟存储单元电路，与补偿电路耦接，适于模拟SRAM存储单元；/n补偿电路，输入端与所述模拟存储单元电路的内部存储节点输出端耦接，输出端与时钟产生电路耦接，适于对所述模拟存储单元电路的内部存储节点输出端的输出电压进行补偿，以增加所述内部存储节点输出端的输出电压从高电平跳变至低电平的延时。/n
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