[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810519441.0 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110534642B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 王士京;徐柯;何其暘;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：对第二槽区侧壁的阻挡材料层进行原位脱溶表面处理；之后采用第一湿刻工艺去除第二槽区侧壁的阻挡材料层，且使第一槽区侧壁和底部的阻挡材料层形成阻挡层；在第二槽区中形成位于阻挡层和下电极层的顶部表面的导电覆盖层。所述方法避免形成阻挡层后第二槽区侧壁残留阻挡材料层，同时避免去除第二槽区侧壁的阻挡材料层的过程污染工艺环境。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底上具有介质层，介质层中具有第一凹槽，第一凹槽包括第一槽区和位于第一槽区上的第二槽区；/n在所述第一槽区的侧部和底部、第二槽区的侧壁以及介质层上形成阻挡材料层；/n在第一槽区中以及介质层上形成位于阻挡材料层表面的下电极材料层，且所述下电极材料层暴露出第二槽区侧壁的阻挡材料层；/n去除介质层上的下电极材料层和阻挡材料层，且使第一槽区中的下电极材料层形成下电极层；/n形成所述下电极层后，对第二槽区侧壁的阻挡材料层进行原位脱溶表面处理；/n进行所述原位脱溶表面处理后，采用第一湿刻工艺去除第二槽区侧壁的阻挡材料层，且使第一槽区侧壁和底部的阻挡材料层形成阻挡层；/n进行所述第一湿刻工艺后，在所述第二槽区中形成导电覆盖层，所述导电覆盖层位于所述阻挡层和下电极层的顶部表面，所述导电覆盖层的材料和所述阻挡层的材料不同。/n
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