[发明专利]半导体装置封装和其制造方法有效
| 申请号： | 201810341673.1 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN109427729B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李志成;苏洹漳 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种用于封装半导体装置的衬底。所述衬底包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一介电层、邻接所述第一介电层的所述第一表面的第一图案化导电层以及邻接所述第一介电层的所述第二表面的第二图案化导电层。所述第一介电层包含邻接所述第一表面的第一部分、邻接所述第二表面的第二部分以及所述第一部分与所述第二部分之间的加固结构。所述第一介电层的所述第一部分的厚度不同于所述第一介电层的所述第二部分的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于封装半导体装置的衬底，其包括：第一介电层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一介电层包括邻接所述第一表面的第一部分、邻接所述第二表面的第二部分和所述第一部分与所述第二部分之间的加固结构；第一图案化导电层，其邻接所述第一介电层的所述第一表面；和第二图案化导电层，其邻接所述第一介电层的所述第二表面，其中所述第一介电层的所述第一部分的厚度不同于所述第一介电层的所述第二部分的厚度。
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