[发明专利]一种衬底结构、加工方法和显示装置有效
| 申请号： | 201810254037.5 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108461388B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 曾宪祥 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 065000 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种衬底结构、加工方法和显示装置，用于解决现有技术中层间结合力不足的技术问题。该衬底结构包括相互结合的第一衬底层和第二衬底层，所述第一衬底层的结合表面上布设凹槽和凸起形成连续结构，所述连续结构的表面布设不平坦区域。利用凹槽和凸起增大第一衬底层和第二衬底层间的结合面积，利用不平坦区域改善了结合表面的微观结构，使得不同材料强度的两种功能层可以更稳固地勾连结合。同时，更有利于第二衬底层材料在不同形态变化过程中与第一衬底层的相互结合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 结构 加工 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种衬底结构，其特征在于，包括相互结合的第一衬底层和第二衬底层，所述第一衬底层的结合面上布设凹槽和凸起形成连续结构，所述连续结构的表面上布设不平坦区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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