[发明专利]金属插塞以及金属插塞的形成方法有效
| 申请号： | 201810175124.1 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110233131B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;蒋鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属插塞以及金属插塞的形成方法，包括：在半导体衬底上形成第一层间介质层，并在第一层间介质层中形成多个栅极；除去部分第一层间介质层，以在相邻栅极之间的第一层间介质层中形成第一插塞孔；向第一插塞孔内填充金属，以形成第一子金属插塞；形成与第一层间介质层相邻的第二层间介质层，第二层间介质层覆盖第一子金属插塞；去除部分第二层间介质层，以在与第一子金属插塞对应位置的上方形成暴露第一子金属插塞的第二插塞孔；和向第二插塞孔内填充金属，以形成第二子金属插塞。一个金属插塞分成多段形成，避免金属插塞内部出现孔洞，提高金属插塞的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属插塞的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一层间介质层，并在所述第一层间介质层中形成多个栅极；除去部分所述第一层间介质层，以在相邻所述栅极之间的所述第一层间介质层中形成第一插塞孔；向所述第一插塞孔内填充金属，以形成第一子金属插塞；形成与所述第一层间介质层相邻的第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述第一子金属插塞；去除部分所述第二层间介质层，以在与所述第一子金属插塞对应位置的上方形成暴露所述第一子金属插塞的第二插塞孔；和向所述第二插塞孔内填充金属，以形成第二子金属插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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