[发明专利]一种带有波浪型场限环结构的功率半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810115022.0 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108511512A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;张小双;童鑫;吴其祥;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种带有波浪型场限环结构的功率半导体器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上方设有N型缓冲层(2)，N型缓冲层(2)上设有N型外延层(3)且N型外延层(3)被划分为元胞区、过渡区和终端区，在元胞区内设有栅极沟槽(4‑1)、(4‑2)，在过渡区设有栅极沟槽(4‑3)、(4‑4)、(4‑5)，在栅极沟槽(4‑1)、(4‑2)之间设有P型体区(6)，P型体区(6)内设有重掺杂N型发射极(7)，其特征在于，终端区内设有波浪型、交叠状离子扩散区(10)，在波浪型离子扩散区(10)内设有离子注入区(10‑1)、(10‑2)、(10‑3)。本发明器件结构能够抑制器件关断时刻所产生的电场尖峰，从而抑制动态雪崩。 | ||
| 搜索关键词： | 波浪型 栅极沟槽 功率半导体器件 离子扩散区 场限环 过渡区 衬底 离子注入区 电场尖峰 动态雪崩 发明器件 关断时刻 抑制器件 交叠状 元胞区 终端区 重掺杂 元胞 制备 终端 | ||
【主权项】：
1.一种带有波浪型场限环结构的功率半导体器件及其制备方法，包括：P型衬底(1)，在所述的P型衬底(1)底部设有阳极金属层作为器件的集电极，在P型衬底(1)上方设有N型缓冲层(2)，N型缓冲层(2)上设有N型外延层(3)且所述N型外延层(3)被划分为元胞区、过渡区和终端区，在N型外延层(3)上设有场氧化层(9)，在元胞区内设有两个元胞区栅极沟槽(4‑1)、(4‑2)，在过渡区设有三个过渡区栅极沟槽(4‑3)、(4‑4)、(4‑5)，在两个元胞区栅极沟槽(4‑1)、(4‑2)之间设有P型体区(6)，P型体区(6)内设有重掺杂N型发射极(7)，元胞区栅极沟槽和过渡区栅极沟槽侧壁及底部设有栅氧化层(5)，在栅氧化层(5)内部充填有作为器件栅极的多晶硅(8)，其特征在于，终端区内设有波浪型、交叠状离子扩散区(10)，在波浪型离子扩散区(10)内设有三个离子注入区(10‑1)、(10‑2)、(10‑3)。
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