[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201780002987.2 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108012564B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 金丁鹤;金熹正;南承希;李光珠;金塞拉;金荣国 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;C09J11/04;C09J133/10;C09J133/08;C09J163/00;C09J7/20;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，其包括：形成在被粘物上的第一半导体元件；以及用于包埋第一半导体元件的粘合剂膜，其中粘合剂膜在高温下满足熔体粘度与重量损失率之间的预定比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体元件；以及用于包埋所述第一半导体元件的粘合剂膜，其中所述粘合剂膜满足以下通式1：[通式1]1≤{MV/[(a^5)*10]}其中，在通式1中，MV是通过施加5rad/s的剪切速率在125℃下测量的所述粘合剂膜的熔体粘度，并且具有200Pa·s至8000Pa·s范围内的数值，以及a是所述粘合剂膜在125℃下暴露1小时之后通过热重分析(TGA)测量的重量损失率(％)。
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