[实用新型]NPN型三极管有效
| 申请号： | 201721825396.9 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207587739U | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 冯荣杰;刘东;胡铁刚 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 310012 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种NPN型三极管，自所述N型注入层表面开始并延伸至所述N型外延层内部的P型掺杂区域，所述P型掺杂区域包括第一P型掺杂区域及自所述第一P型掺杂区域表面开始并延伸至所述第一P型掺杂区域内部且超出所述第一P型掺杂区域外侧的第二P型掺杂区域，所述第二P型掺杂区域的掺杂浓度比所述第一P型掺杂区域的掺杂浓度低，由此形成了缓变的掺杂区，减少了电场的集中程度，从而所述第二P型掺杂区域能够补偿所述N型注入层所引起的BVcbo降低问题，同时，可以将所形成的NPN型三极管的电场集中点从表面位置移至底部位置，即移到高压击穿位置，由此可以提高发射极悬空时集电极对基极的击穿电压BVcbo。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 本实用新型 电场 表面位置 底部位置 电场集中 高压击穿 击穿电压 掺杂区 发射极 集电极 浓度比 缓变 延伸 悬空 | ||
【主权项】：
1.一种NPN型三极管，其特征在于，所述NPN型三极管包括：P型衬底；位于所述P型衬底上的N型外延层；位于所述N型外延层表面的N型注入层；自所述N型注入层表面开始并延伸至所述N型外延层内部的P型掺杂区域，所述P型掺杂区域包括第一P型掺杂区域及自所述第一P型掺杂区域表面开始并延伸至所述第一P型掺杂区域内部且超出所述第一P型掺杂区域外侧的第二P型掺杂区域，所述第二P型掺杂区域的掺杂浓度比所述第一P型掺杂区域的掺杂浓度低；自所述P型掺杂区域表面开始并延伸至所述P型掺杂区域内部的第一N型掺杂区域；及自所述N型注入层表面开始并延伸至所述N型外延层内部的第二N型掺杂区域。
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