[实用新型]薄膜晶体管和像素结构有效
| 申请号： | 201720797428.2 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN206961834U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陆富财;杨尚融;刘恩池;黄金海;黄彦余 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种薄膜晶体管和像素结构。薄膜晶体管配置于基板上且包括第一电极、通道层、栅极、栅绝缘层、层间介电层以及第二电极。第一电极配置于基板上。通道层覆盖第一电极。栅极配置于通道层上且在基板的法线方向上与第一电极重叠。栅绝缘层配置于栅极和通道层之间以电性绝缘栅极和通道层。层间介电层覆盖栅极且具有暴露通道层的接触窗。第二电极配置于层间介电层上且填入接触窗以接触通道层。第二电极在法线方向上与栅极重叠。第二电极与栅极重叠的面积实质上等于第一电极与栅极重叠的面积。本实用新型的薄膜晶体管所占面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 像素 结构 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，配置于基板上，所述薄膜晶体管的特征在于，包括：第一电极，配置于所述基板上；通道层，覆盖所述第一电极；栅极，配置于所述通道层上且在所述基板的法线方向上与所述第一电极重叠；栅绝缘层，配置于所述栅极和所述通道层之间以电性绝缘所述栅极和所述通道层；层间介电层，覆盖所述栅极，所述层间介电层具有暴露所述通道层的接触窗；以及第二电极，配置于所述层间介电层上且填入所述接触窗以接触所述通道层，所述第二电极在所述法线方向上与所述栅极重叠，其中所述第二电极与所述栅极重叠的面积等于所述第一电极与所述栅极重叠的面积。
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