[实用新型]薄膜晶体管和像素结构有效
| 申请号： | 201720797428.2 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN206961834U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陆富财;杨尚融;刘恩池;黄金海;黄彦余 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 像素 结构 | ||
1.一种薄膜晶体管，配置于基板上，所述薄膜晶体管的特征在于，包括：
第一电极，配置于所述基板上；
通道层，覆盖所述第一电极；
栅极，配置于所述通道层上且在所述基板的法线方向上与所述第一电极重叠；
栅绝缘层，配置于所述栅极和所述通道层之间以电性绝缘所述栅极和所述通道层；
层间介电层，覆盖所述栅极，所述层间介电层具有暴露所述通道层的接触窗；以及
第二电极，配置于所述层间介电层上且填入所述接触窗以接触所述通道层，所述第二电极在所述法线方向上与所述栅极重叠，其中所述第二电极与所述栅极重叠的面积等于所述第一电极与所述栅极重叠的面积。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极和所述栅绝缘层在所述法线方向上完全重叠。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极中的一个为源极，所述第一电极和所述第二电极中的另一个为漏极。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述法线方向上，所述通道层的面积大于所述栅极的面积。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
遮光层，配置于所述第一电极和所述基板之间。
6.一种像素结构，配置于基板上，所述像素结构的特征在于，包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
第一电极，配置于所述基板上；
通道层，覆盖所述第一电极；
栅极，配置于所述通道层上且在所述基板的法线方向上与所述第一电极重叠；
栅绝缘层，配置于所述栅极和所述通道层之间以电性绝缘所述栅极和所述通道层；
层间介电层，覆盖所述栅极，所述层间介电层具有暴露所述通道层的接触窗；以及
第二电极，配置于所述层间介电层上且填入所述接触窗以接触所述通道层，所述第二电极在所述法线方向上与所述栅极重叠，其中所述第二电极与所述栅极重叠的面积等于所述第一电极与所述栅极重叠的面积；以及
像素电极，电性连接所述第一电极或所述第二电极。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述栅极和所述栅绝缘层在所述法线方向上完全重叠。
8.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，在所述法线方向上，所述通道层的面积大于所述栅极的面积。
9.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极电性连接所述第二电极，且所述第二电极和所述像素电极位于同一层。
10.根据权利要求9所述的像素结构，其特征在于，所述第二电极和所述像素电极具有相同材质。
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