[发明专利]像素结构及像素电路在审
申请号: | 202010107878.0 | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN111176041A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 赵玲 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种像素结构及像素电路,该像素结构包括:第一金属层,包括扫描线、第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、第三薄膜晶体管的栅极、以及栅极公共电极线;第二金属层,包括数据线、第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、第三薄膜晶体管的源极和漏极;像素电极层,设置在第二金属层远离第一金属层的一侧,包括主像素电极和次像素电极;其中,主像素电极与第一薄膜晶体管的漏极连接,次像素电极与第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的源极连接,第三薄膜晶体管的漏极通过过孔与公共电极线连接。避免了现有像素结构中共享电极线的存在,影响开口率、产生白雾、易与数据线发生短接、不易检修等一系列问题。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 电路 | ||
【主权项】:
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