[实用新型]薄膜晶体管和像素结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电子元件，尤其涉及一种薄膜晶体管和像素结构。

背景技术

随着显示科技的发展，高分辨率逐渐成为基本需求之一。通常将像素结构的尺寸缩小以符合高分辨率的需求。因应缩小的像素结构，薄膜晶体管所占用的面积也必须缩小，以维持或提升显示面板的开口率(aperture ratio)。目前，虽可通过将源极和漏极配置在不同层达成上述目的，但却有薄膜晶体管不易关闭的缺点。

发明内容

本实用新型提供一种薄膜晶体管，占用面积小且电性佳。

本实用新型又提供一种像素结构，开口率佳。

本实用新型的一种薄膜晶体管，配置于基板上。薄膜晶体管包括第一电极、通道层、栅极、栅绝缘层、层间介电层以及第二电极。第一电极配置于基板上。通道层覆盖第一电极。栅极配置于通道层上且在基板的法线方向上与第一电极重叠。栅绝缘层配置于栅极和通道层之间以电性绝缘栅极和通道层。层间介电层覆盖栅极且具有暴露通道层的接触窗。第二电极配置于层间介电层上且填入接触窗以接触通道层。第二电极在法线方向上与栅极重叠。第二电极与栅极重叠的面积实质上等于第一电极与栅极重叠的面积。

在本实用新型的一实施例中，栅极和栅绝缘层在法线方向上可完全重叠。

在本实用新型的一实施例中，第一电极和第二电极中的一个可为源极，第一电极和第二电极中的另一个可为漏极。

在本实用新型的一实施例中，在法线方向上，通道层的面积可大于栅极的面积。

在本实用新型的一实施例中，薄膜晶体管还可包括配置于第一电极和基板之间的遮光层。

本实用新型的一种像素结构，配置于基板上。像素结构包括薄膜晶体管以及像素电极。薄膜晶体管包括第一电极、通道层、栅极、栅绝缘层、层间介电层以及第二电极。第一电极配置于基板上。通道层覆盖第一电极。栅极配置于通道层上且在基板的法线方向上与第一电极重叠。栅绝缘层配置于栅极和通道层之间以电性绝缘栅极和通道层。层间介电层覆盖栅极且具有暴露通道层的接触窗。第二电极配置于层间介电层上且填入接触窗以接触通道层。第二电极在法线方向上与栅极重叠。第二电极与栅极重叠的面积实质上等于第一电极与栅极重叠的面积。像素电极电性连接第一电极或第二电极。

在本实用新型的一实施例中，栅极和栅绝缘层在法线方向上可完全重叠。

在本实用新型的一实施例中，在法线方向上，通道层的面积可大于栅极的面积。

在本实用新型的一实施例中，像素电极可电性连接第二电极，且第二电极和像素电极可位于同一层。

在本实用新型的一实施例中，第二电极和像素电极可具有相同材质。

基于上述，在本实用新型一实施例的薄膜晶体管中，第二电极与栅极重叠的面积实质上等于第一电极与栅极重叠的面积。藉此，薄膜晶体管在正扫模式(forward mode)或反扫模式(reverse mode)下，均可有效地关闭薄膜晶体管。

为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是包含本实用新型的薄膜晶体管的像素结构的剖面图。

附图标记说明：

1000：像素结构；

100：基板；

102：层间介电层；

104：遮光层；

106：绝缘层；

A1、A2：面积；

CH：通道层；

D：漏极；

E1：第一电极；

E2：第二电极；

G：栅极；

GI：栅绝缘层；

H：接触窗；

PE：像素电极；

S：源极；

TFT：薄膜晶体管。

具体实施方式

图1是包含本实用新型的薄膜晶体管的像素结构的剖面图。请参照图1。像素结构1000配置于基板100上且包括薄膜晶体管TFT以及像素电极PE。就光学特性而言，基板100可为透光基板或不透光/反射基板。透光基板的材质可选自玻璃、石英、有机聚合物、其他适当材料或其组合。不透光/反射基板的材质可选自导电材料、金属、晶圆、陶瓷、其他适当材料或其组合。就机械特性而言，基板100可为刚性基板或可挠性基板。刚性基板的材质可选自玻璃、石英、导电材料、金属、晶圆、陶瓷、其他适当材料或其组合。可挠性基板的材质可选自超薄玻璃、有机聚合物(例如：塑料)、其他适当材料或其组合。