[发明专利]像素驱动电路、像素结构及像素驱动方法有效

专利信息
申请号: 201610311555.7 申请日: 2016-05-11
公开(公告)号: CN105741743B 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 钱先锐 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种像素驱动电路、像素结构及像素驱动方法。该像素驱动电路包括:驱动晶体管M2;电容结构C;与所述驱动晶体管M2并联的补偿晶体管M4,栅极与所述电容结构C的第一端连接;电压写入电路,用于在写入阶段将数据信号的数据电压和所述补偿晶体管M4的阈值电压写入到所述电容结构C的第一端;在发光阶段,第一通道和第二通道同时导通;所述第一通道为:所述第一电源信号输入端子VDD和第二电源信号输入端子VSS之间经过所述驱动晶体管M2的通道;所述第二通道为:所述第一电源信号输入端子VDD和第二电源信号输入端子VSS之间经过所述补偿晶体管M4的通道。所述第一通道中仅设置有一个晶体管。本发明改善了显示均匀性。
搜索关键词: 像素 驱动 电路 结构 方法
【主权项】:
1.一种像素驱动电路,用于驱动像素结构中的发光器件,所述像素驱动电路包括:与发光器件串联的驱动晶体管(M2),第一极与第一电源信号输入端子(VDD)连接,第二极与第二电源信号输入端子(VSS)连接;电容结构(C),第一端和驱动晶体管(M2)的栅极连接;其特征在于,所述像素驱动电路还包括:与所述驱动晶体管(M2)并联的补偿晶体管(M4),第一极与第一电源信号输入端子(VDD)连接,第二极与第二电源信号输入端子(VSS)连接,栅极与所述电容结构(C)的第一端连接;电压写入电路,用于在写入阶段将数据信号的数据电压和所述补偿晶体管(M4)的阈值电压写入到所述电容结构(C)的第一端;在发光阶段,第一通道和第二通道同时导通;所述第一通道为:所述第一电源信号输入端子(VDD)和第二电源信号输入端子(VSS)之间经过所述驱动晶体管(M2)的通道;所述第二通道为:所述第一电源信号输入端子(VDD)和第二电源信号输入端子(VSS)之间经过所述补偿晶体管(M4)的通道;所述第一通道中仅设置有一个晶体管;所述电压写入电路具体用于:在放电写入阶段,控制所述电容结构(C)通过所述补偿晶体管(M4)进行放电,使得所述电容结构(C)第一端的电压值等于所述补偿晶体管(M4)的阈值电压;在充电写入阶段,利用所述数据信号对所述电容结构(C)进行充电,使得所述电容结构(C)第一端的电压值为所述数据信号的电压值和所述补偿晶体管(M4)的阈值电压的和值。
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