[发明专利]半导体器件结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法，半导体器件结构包括半导体衬底、字线、位线及导电栓塞。半导体衬底内形成有若干个浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构在半导体衬底内隔离出若干个间隔排布的有源区；字线位于半导体衬底内；位线位于半导体衬底上；位线包括第一部分、第二部分及第三部分，第三部分位于相邻字线之间且与相邻有源区之间的浅沟槽隔离结构交迭的区域上；导电栓塞包括位于相邻位线之间的填充部及自填充部的底部及侧壁延伸至位线第三部分下方的有源区内的延伸部。本发明通可以大大增加导电栓塞与有源区的接触面积，有效改善导电栓塞的电阻，进而提高半导体器件的良率及性能。

主权项

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：半导体衬底，形成有若干个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构在所述半导体衬底内隔离出若干个间隔排布的有源区；若干个平行间隔排布的字线，位于所述半导体衬底内，所述字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向成第一角度；若干个平行间隔排布的位线，位于所述半导体衬底上；所述位线的延伸方向与所述有源区的延伸方向成第二角度，且与所述字线延伸的方向成第三角度；每一所述位线具有第一部分、第二部分及第三部分；其中，所述位线的第一部分位于相邻所述字线之间且与所述有源区交迭的区域上；所述位线的第二部分位于所述字线上；所述位线的第三部分位于相邻所述字线之间且与相邻所述有源区之间的所述浅沟槽隔离结构交迭的区域上，所述位线的第三部分在所述半导体衬底上的正投影还局部覆盖所述浅沟槽隔离结构两侧所述有源区的部分区域；沿所述字线的延伸方向，所述位线的第一部分与相邻的另一所述位线的第三部分同位于两相邻所述字线间的同一间隔中；导电栓塞，具有填充部以及由所述填充部侧向延伸的延伸部，其中，至少一所述导电栓塞的所述填充部位于所述半导体衬底上且在所述位线的第三部分和相邻所述位线的第一部分之间，以电连接被所述位线的第三部分局部遮盖的所述有源区；所述延伸部由所述填充部的底部及侧壁延伸至所述位线的第三部分下方的所述有源区内，使所述导电栓塞和所述有源区之间的接合面为非平面。