[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201711474080.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108110109B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 江汉;王亚伟;周宏敏;徐志军;李政鸿;寻飞林;林兓兓;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，其通过在P型氮化物层中引入Fe掺杂氮化物层，用Fe元素和Mg元素共同作为空穴提供原子；由于Fe掺杂氮化物层空穴生成速率较Mg掺杂氮化物层的空穴生成速率快，以此来弥补传统Mg掺杂P型氮化物层相对多量子阱结构层物理位置前后差异导致的空穴迁移差异，从而形成较高浓度和较为稳定的空穴载子流。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 氮化物层 发光二极管 掺杂 多量子阱结构层 空穴迁移 物理位置 掺杂P型 载子流 引入 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括一衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱结构层和P型氮化物层，其特征在于：所述P型氮化物层至少包括一Mg掺杂氮化物层和一Fe掺杂氮化物层；所述P型氮化物层包括第一P型氮化物层、第二P型氮化物层，第一P型氮化物层或/和第二P型氮化物层至少包括Mg掺杂氮化物层和Fe掺杂氮化物层；所述第一P型氮化物层包括第一Mg掺杂氮化物层、第一FeN层和第一Fe掺杂氮化物层。/n
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