[发明专利]一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201711409355.6 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108054203B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王冠宇;于明道;苗乃丹;宋琦;袁军;王巍 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 50212 重庆博凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 伍伦辰 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层。本发明利用绝缘体衬底可以起到减小寄生电容、增强绝缘的作用，使双极晶体管达到的速度更快、频率更高，还可以与金属‑氧化物半导体场效应晶体管相结合，形成BiCMOS工艺，可广泛应用与集成电路的设计与制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 上硅锗 衬底 异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层（100）及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层（100）上的基区、发射区及集电区，其特征在于，所述低掺杂单晶硅衬底层（100）与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层（101），所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层（107）；/n所述二氧化硅绝缘层（101）之上由下至上依次包括重掺杂弛豫Si
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