[发明专利]一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法在审
| 申请号： | 201711407729.0 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108251805A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 徐锋;胡芳;徐桂舟 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 张学彪 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，即通过射频磁控溅射，在Si衬底上依次室温生长5nm Ta、30nm Ru和200nm Mn3Ga后，再进行550℃退火处理。本发明的制备工艺简单，使用价格相对低廉的Si衬底和Ta/Ru缓冲层，制备出的[002]型六角Mn3Ga在10～100K的较大温度范围内保持8nΩcm的拓扑霍尔电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 六角 薄膜制备 衬底 射频磁控溅射 电导率 退火处理 制备工艺 霍尔 拓扑 制备 生长 | ||
【主权项】：
1.一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，其特征在于：通过射频磁控溅射，在Si衬底上依次室温生长5nm Ta、30nm Ru和200nm Mn3Ga后，再进行550℃退火处理。
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