[发明专利]一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法在审
| 申请号： | 201711407729.0 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108251805A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 徐锋;胡芳;徐桂舟 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 张学彪 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲层 六角 薄膜制备 衬底 射频磁控溅射 电导率 退火处理 制备工艺 霍尔 拓扑 制备 生长 | ||
1.一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，其特征在于：通过射频磁控溅射，在Si衬底上依次室温生长5nm Ta、30nm Ru和200nm Mn3Ga后，再进行550℃退火处理。
2.根据权利要求1所述的一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，其特征在于：在Si衬底上生长Ta的具体操作步骤为：通过射频磁控溅射在Si衬底上室温生长5nm Ta；其中本底气压为2.0×10-5Pa，溅射气压为1Pa，溅射功率为80W，溅射时间为20s。
3.根据权利要求1所述的一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，其特征在于：在Si衬底上生长Ru的具体操作步骤为：在已经生长5nm Ta的Si衬底样品上室温生长30nmRu；其中本底气压为2.0×10-5Pa，溅射气压为1Pa，溅射功率为80W，溅射时间为7.5min。
4.根据权利要求1所述的一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，其特征在于：在Si衬底上生长Mn3Ga的具体操作步骤为：在已经生长30nm Ru的Si衬底样品上室温生长200nm Mn3Ga；其中本底气压为2.0×10-5Pa，溅射气压为1Pa，溅射功率为80W，溅射时间为20min。
5.根据权利要求1所述的一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，其特征在于：所述550℃退火处理具体操作步骤为：将生长结束得到的样品置于高真空环境下升温至550℃，保持20min后关闭加热源，待所述样品冷却至50℃以下，取出样品。
6.根据权利要求1-5所述的一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，其特征在于：所述Si衬底为[001]型Si衬底。
7.根据权利要求1-5所述的一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，其特征在于：所述Mn3Ga为[002]型Mn3Ga。
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