[发明专利]横向型氮化镓基场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种横向型氮化镓基场效应晶体管及其制作方法。该横向型氮化镓基场效应晶体管的结构中包括依次层叠设置的缓冲层、高阻层、p型掺杂的p‑GaN层、n型掺杂的n‑GaN层、沟道层、势垒层、后期器件工艺形成的台阶状的源极层和漏极层、以及绝缘介质层和栅极层，当器件处于关断状态时，栅极层施加反向电压，栅极层下方导电沟道阻断，此时，外延层中的p‑GaN层和n‑GaN层在源极层和漏极层的高压反偏作用下，形成超结结构的耗尽层，从超结理论可知，超结建立的电场垂直于漏极层和栅极层之间的电场，使得外延层中的电场更加均匀，降低了电场峰值，实现晶体管的高耐压特性。

主权项

1.一种横向型氮化镓基场效应晶体管，其特征在于，包括衬底和在所述衬底上依次层叠设置的缓冲层、高阻层、p-GaN层、n-GaN层、沟道层和势垒层；从所述势垒层的上表面设有贯穿至所述p-GaN层的上表面的凹槽状的栅极沉积区，并在所述栅极沉积区的两侧分别设有从所述势垒层的上表面贯穿至所述p-GaN层中的源极沉积区和从所述势垒层的上表面贯穿至所述n-GaN层中的漏极沉积区；所述横向型氮化镓基场效应晶体管还包括绝缘介质层、栅极层、源极层和漏极层，其中，所述绝缘介质层覆盖在所述栅极沉积区的底面及两侧面上并向两侧延伸至所述势垒层的上方，所述栅极层从所述栅极沉积区一侧的所述绝缘介质层的上方沿所述绝缘介质层延伸至另一侧的所述绝缘介质层的上方，所述源极层和所述漏极层分别从所述源极沉积区的底部和所述漏极沉积区的底部沿相应的侧面延伸至所述势垒层的上方，所述源极层与所述漏极层呈台阶状。