[发明专利]一种GaN‑HEMT芯片及制造方法在审
| 申请号： | 201711365926.0 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107808900A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 闫稳玉;吴伟东;张薇葭;王占伟;刘双昭;王旭东;赵利 | 申请（专利权）人： | 山东聚芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司37108 | 代理人： | 郑向群 |
| 地址： | 257091 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN‑HEMT芯片及制造方法，其中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间，S、D、G极通过金属沉淀的方式固定于氮化镓铝层顶部；优点为本发明有效降低芯片电阻，增加低功率模式下附加功率效率，提高芯片可靠性，同时，缩小了芯片体积，有利于减少了电路面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN‑HEMT芯片及制造方法，由GaN外延片为原材料，包括氮化镓铝层（1）、氮化镓外延层（2）、氮化镓缓冲层（3）、衬底（4）及二维电子气（2DEG）层（5）及S、D、G极，其中特征在于：所述的衬底（4）的上部为氮化镓缓冲层（3），氮化镓缓冲层（3）的上部为氮化镓外延层（2），最上方为氮化镓铝层（1），二维电子气（2DEG）层（5）位于氮化镓铝层（1）和氮化镓外延层（2）之间，S、D、G极通过金属沉淀的方式固定于氮化镓铝层（1）顶部。
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