[发明专利]一种LED芯片的制作方法

摘要

本申请公开了一种LED芯片的制作方法，包括步骤：制作芯片；沉积出P型电流阻挡层；将透明导电层镀在所述P型半导体层和P型电流阻挡层上；对芯片进行刻蚀，P电极下方的P型电流阻挡层和氮化镓的刻蚀选择比为1:6，将残留的P型电流阻挡层去除，露出P型半导体层，对透明导电层进行二次清洗；将保护层沉积在透明导电层上，在光刻腐蚀后留出与N电极和P电极形成欧姆接触的区域，同时在N型半导体层上设置N型电流阻挡层；将P电极N电极分别设置在透明导电层以及N型半导体层上。本发明兼顾透明导电层光刻与台面刻蚀光刻进行二合一工艺和N型电流阻挡层的制作，增大了芯片发光区的面积，提升了发光二极管芯片的光效。

主权项

1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：制作芯片，沿轴线方向，将缓冲层设置在衬底上，将N型半导体层设置在缓冲层上；将发光层设置在N型半导体层上，将P型半导体层设置在发光层上，将P型电流阻挡层设置在所述P型半导体层上，将透明导电层设置在所述P型电流阻挡层上，将P电极设置在所述透明导电层上，将保护层设置在所述透明导电层上；通过等离子体增强化学气相沉积法在所述P型半导体层上沉积出P型电流阻挡层，并通过光刻的方式制作出需要图形，然后用蚀刻液进行湿法腐蚀，在沉积所述P型电流阻挡层时位于P电极下方的位置不开孔；将透明导电层通过蒸发台或者溅射镀膜法镀在所述P型半导体层和P型电流阻挡层上，并通过光刻的方式制作出需要图形，在镀所述透明导电层时位于P电极下方的位置是开孔的，在湿法腐蚀完后不去除光刻胶；采用电感耦合等离子体对芯片进行刻蚀，所述P电极下方的P型电流阻挡层和氮化镓的刻蚀选择比为1:6，然后用湿法腐蚀的方式将残留的P型电流阻挡层去除，露出P型半导体层，然后用蚀刻液将透明导电层进行二次清洗，将边缘处的一些残留去除干净；将所述的保护层通过等离子体增强化学的气相沉积法沉积在透明导电层上，在光刻腐蚀后留出与N电极和P电极形成欧姆接触的区域，同时在N型半导体层上设置N型电流阻挡层，该N型电流阻挡层为间断的保护层；将所述P电极以及所述N电极通过蒸发台或者溅射镀膜法分别设置在所述透明导电层以及所述N型半导体层上。