[发明专利]透明导电层和包括该透明导电层的透明电极有效
| 申请号： | 200980138087.6 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102165559A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 方晸湜;张贤佑;林振炯 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 黄丽娟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电层和包括该透明导电层的透明电极，更具体而言，公开了一种具有纹理化表面的基于氧化锌的透明导电层，其中所述纹理化表面具有突起，每个突起在其突起方向上具有形成弧形的脊，或每个突起在其边缘具有尖端使得两个脊形成90°或更大的钝角。所述透明导电层仅采用溅射法制造而没有采用湿法蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 包括 电极 | ||
【主权项】：
一种具有纹理化表面的基于氧化锌的透明导电层，其中，所述纹理化表面具有突起，每个突起在其突起方向上具有形成弧形的脊，或每个突起在其边缘具有尖端使得两个脊形成90°或大于90°的钝角。
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- 本文提供用于基板处理腔室的靶材组件的实施方式。在一些实施方式中，靶材组件包括：板，所述板包含包括中央部分及支撑部分的第一侧面；靶材，所述靶材设置于所述中央部分上；多个凹槽，所述多个凹槽形成于所述支撑部分中；及多个垫，所述多个垫部分地设置于所述多个凹槽中。
- 一种硫化亚锡纳米片的制备方法及基于其制备的光电探测器-201610013223.0
- 鹿方园;王晓亭;陈颖;陈新;李京波 - 广东工业大学
- 2016-01-07 - 2016-05-04 - H01L21/203
- 本发明公开了一种硫化亚锡纳米片的制备方法及基于其制备的光电探测器，该制备方法包括如下步骤：将硫化亚锡粉末置于干净的石英舟中，将清洗干净的SiO2/Si基底水平放置在石英舟的正上方。然后将石英舟放置在石英管加热区的中间位置，封闭石英管；向石英管中通入惰性气体并持续10-30min以便将石英管中的空气排净；将石英管加热升至700-750℃；升温过程中调小惰性气体的气流量；将石英管在温度为700-720℃的高温区保温6-12min，然后让其自然降温；待石英管自然降温到560-600℃后，将石英管整体推出管式炉外迅速降温；待石英管温度降至室温时，打开石英管取出样品，样品制备完成。通过上述方式，本发明能够利用简单的物理气相沉积方法制备了高质量的硫化亚锡纳米片。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
