[发明专利]一种形成半导体器件的方法和掩模有效
| 申请号： | 201711348855.3 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109324471B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 尤昶清;许志东;王世强;胡致嘉;陈尚承 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了多掩模多曝光光刻技术以及适当的掩模的实例。在一些实例中，光掩模包括：管芯区域；以及拼接区域，设置为邻近管芯区域并沿着光掩模的界线。拼接区域包括：用于形成集成电路部件的掩模部件；以及用于片内重叠测量的对准标记。本发明实施例涉及一种形成半导体器件的方法和掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，包括：管芯区域；以及拼接区域，设置为邻近所述管芯区域并沿着光掩模的界线，其中，所述拼接区域包括：掩模部件，用于形成集成电路部件；以及对准标记，用于片内重叠测量。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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