[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711342142.6 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108288642A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;张兆浩;殷华湘;徐忍忍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在衬底上形成与衬底隔离的第一鳍体，第一鳍体由沿长度方向顺次连接的第一区域、第二区域和第三区域组成；S2，将第一鳍体中的第二区域形成纳米线结构；S3，绕纳米线结构的裸露表面顺序形成层叠的界面氧化层、铁电层和栅极，以及，制备方法还包括以下步骤：在第一区域中形成源极，在第三区域中形成漏极，源极和漏极分别与纳米线结构的两端连接，且源极与漏极的掺杂类型相反。上述制备方法提高了器件的栅控能力，降低了器件的漏电流，减小了器件的源漏寄生电阻，且能够使器件的亚阈值斜率大大低于60mV/dec，功耗更低。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米线结构 漏极 源极 鳍体 隧穿场效应晶体管 第二区域 第一区域 衬底 界面氧化层 亚阈值斜率 掺杂类型 寄生电阻 裸露表面 顺次连接 顺序形成 漏电流 铁电层 功耗 减小 源漏 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在衬底(10)上形成与所述衬底(10)隔离的第一鳍体(111)，所述第一鳍体(111)由沿长度方向顺次连接的第一区域、第二区域和第三区域组成；S2，将所述第一鳍体(111)中的所述第二区域形成纳米线结构(120)；S3，绕所述纳米线结构(120)的裸露表面顺序形成层叠的界面氧化层(50)、铁电层(60)和栅极(80)，以及，所述制备方法还包括以下步骤：在所述第一区域中形成源极(410)，在所述第三区域中形成漏极(420)，所述源极(410)和所述漏极(420)分别与所述纳米线结构(120)的两端连接，且所述源极(410)与所述漏极(420)的掺杂类型相反。
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