[发明专利]GaN半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711332293.3 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108054097B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李尚俊;金荣善 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种GaN半导体器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：获取基板；于所述基板上形成缓冲层；于所述缓冲层上形成非有意掺杂氮化镓层；于所述非有意掺杂氮化镓层上形成Al |
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| 搜索关键词： | gan 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：获取基板；于所述基板上形成缓冲层；于所述缓冲层上形成非有意掺杂氮化镓层；于所述非有意掺杂氮化镓层上形成Alx GaN1-x N层，其中x≥40％，工艺参数为：生长温度<600℃,Al的流速>500μmol/min,NH3 流速>5L/min；于所述Alx GaN1-x N层上形成氮化镓帽层或P型氮化镓层，即得所述GaN半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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