[发明专利]具有内界面层与高介电常数介电层的半导体装置在审
| 申请号： | 201711286983.X | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109216441A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 庄国胜;周友华;黄铭淇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 具有内界面层与高介电常数介电层的半导体装置，具有半导体基板。硅锗层设置于半导体基板上。硅锗层具有第一硅锗比例。第一栅极结构设置于硅锗层上，以及第一栅极结构包括位于硅锗层上的内界面层。界面层具有第二硅锗比例，与硅锗层的第一硅锗比例基本上相同。第一栅极结构亦包括内界面层上的高介电常数介电层，以及高介电常数介电层上的第一栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗层 界面层 高介电常数介电层 栅极结构 硅锗 半导体基板 半导体装置 栅极电极 | ||
【主权项】：
1.一种具有内界面层与高介电常数介电层的半导体装置，其特征在于，包含：一半导体基板；一第一层，位于该半导体基板上，该第一层具有一第一硅锗比例；以及一第一栅极结构，位于该第一层上，该第一栅极结构包含：一内界面层，位于该第一层上，该内界面层具有一第二硅锗比例，基本上相等于该第一硅锗比例；一高介电常数介电层，位于该内界面层上；以及一第一栅极电极，位于该高介电常数介电层上。
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