[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开的栅电极；在所述栅电极上形成封盖图案；形成填充相邻栅电极之间的空间的层间电介质层；在所述层间电介质层上形成具有开口的硬掩模，所述开口选择性地暴露第二封盖图案至第四封盖图案；使用所述硬掩模作为蚀刻掩模在所述第二栅电极和第三栅电极之间以及所述第三栅电极和第四栅电极之间的所述层间电介质层中形成孔；在所述孔中形成阻挡层和导电层；执行第一平坦化以暴露所述硬掩模；执行第二平坦化以暴露所述阻挡层的覆盖第二封盖图案至第四封盖图案的部分；以及执行第三平坦化以完全暴露所述第一封盖图案至第四封顶图案。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成彼此相邻的第一栅电极至第四栅电极，所述第一栅电极至第四栅电极沿第一方向延伸并且沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开；分别在所述第一栅电极至第四栅电极上形成第一封盖图案至第四封盖图案；形成填充所述第一栅电极至第四栅电极的相邻栅电极之间的空间的层间电介质层；在所述层间电介质层上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案包括选择性地暴露所述第二封盖图案至第四封盖图案的开口；通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻第二栅电极和第三栅电极之间以及第三栅电极和第四栅电极之间的层间电介质层，来形成孔；依次形成填充所述孔的阻挡层和导电层；执行第一平坦化处理直到暴露出所述硬掩模图案；执行第二平坦化处理直到暴露出所述阻挡层的一部分，所述阻挡层的一部分覆盖所述第二封盖图案至第四封盖图案；以及执行第三平坦化处理直到完全暴露所述第一封盖图案至第四封盖图案。