[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201711276681.4 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109427896B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 许劭铭;李振铭;吴以雯;杨复凯;王嘉亨;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置的形成方法，包括：提供一结构；蚀刻第一和第二介电层以暴露第一和第二S/D特征；掺杂一p‑型掺质至第一和第二S/D特征；以及在掺杂p‑型掺质之后，对第一和第二S/D特征实施一选择性蚀刻制程，其中比起使第二S/D特征凹陷，选择性蚀刻制程较快地使第一S/D特征凹陷。上述结构包括：一基板；一第一栅极结构和一第二栅极结构，位于基板之上；一第一源极/漏极(S/D)特征及一第二S/D特征，位于基板之上，其中第一S/D特征与第一栅极结构相邻，第二S/D特征与第二栅极结构相邻，且第一和第二S/D特征包括不同的材料；一第一介电层，位于第一和第二栅极结构的侧壁之上且位于第一和第二S/D特征之上；以及一第二介电层，位于第一介电层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，该方法包括：提供一结构，包括：一基板；一第一栅极结构和一第二栅极结构，位于该基板之上；一第一源极/漏极特征和一第二源极/漏极特征，位于该基板之上，其中该第一源极/漏极特征与该第一栅极结构相邻，该第二源极/漏极特征与该第二栅极结构相邻，且该第一和第二源极/漏极特征包括不同的材料；一第一介电层，位于该第一和第二栅极结构的侧壁之上且位于该第一和第二源极/漏极特征之上；以及一第二介电层，位于该第一介电层之上；蚀刻该第一和第二介电层以暴露该第一和第二源极/漏极特征；掺杂一p‑型掺质至该第一和第二源极/漏极特征；以及在掺杂该p‑型掺质之后，对该第一和第二源极/漏极特征实施一选择性蚀刻制程，其中比起使该第二源极/漏极特征凹陷，该选择性蚀刻制程较快地使该第一源极/漏极特征凹陷。
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