[发明专利]半导体芯片及其形成方法

摘要

提供一种半导体芯片的形成方法，包括：提供硅承载晶片，其具有第一面及第二面，其中外延III‑V族半导体区及氧化区设置在第一面上，且外延III‑V族半导体区及氧化区具有从硅承载晶片的第一面量起大抵相同的高度，外延III‑V族半导体区侧壁接触氧化区侧壁；在外延III‑V族半导体区及氧化区顶表面形成共晶接合层；接合互补式金氧半晶片至共晶接合层；随后去除硅承载晶片；单粒化互补式金氧半晶片以形成三维集成电路，其皆包含互补式金氧半基板及III‑V族光学装置，互补式金氧半基板及III‑V族光学装置分别对应互补式金氧半晶片及III‑V族光学装置的一部分。

主权项

1.一种半导体芯片的形成方法，包括：提供一硅承载晶片，该硅承载晶片具有一第一面及一第二面，其中一外延III‑V族半导体区及一氧化区设置在该第一面上，且该外延III‑V族半导体区及该氧化区具有从该硅承载晶片的该第一面量起大抵相同的高度，以及其中该外延III‑V族半导体区的一侧壁接触该氧化区的一侧壁；在该外延III‑V族半导体区及该氧化区的一顶表面形成一共晶接合层；接合一互补式金氧半晶片至该共晶接合层；在接合该互补式金氧半晶片至该共晶接合层后，去除该硅承载晶片；以及单粒化该互补式金氧半晶片以形成多个三维集成电路，其中该些三维集成电路中的每一个皆包含一互补式金氧半基板及一III‑V族光学装置，该互补式金氧半基板对应该互补式金氧半晶片的一部分，且该III‑V族光学装置对应该III‑V族半导体区的一部分。