[发明专利]一种紫外LED芯片制作方法

摘要

一种紫外LED芯片制作方法，包括：依次外延生长u‑GaN层、n‑AlGaN层、多量子阱层以及p‑GaN层或p‑AlGaN层；去除部分区域的p‑GaN层或p‑AlGaN层以及多量子阱层和部分n‑AlGaN层；在n‑AlGaN层上制作n型欧姆接触金属；去除n‑AlGaN层上的n型欧姆接触金属；在p‑GaN层或p‑AlGaN层上制作p型欧姆接触层；在p型欧姆接触层上制作金属阻挡层；在n‑AlGaN层上光刻出欧姆接触部分，生长n型欧姆接触层；通过后续加工工艺制得紫外LED芯片。本发明能够明显改善p型欧姆接触和n型欧姆接触特性，提高p面欧姆接触金属粘附性，降低芯片电压，提高芯片稳定性，提高生产良率。

主权项

1.一种紫外LED芯片制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)在生长衬底上依次外延生长u‑GaN层、n‑AlGaN层、多量子阱层以及p‑GaN层或p‑AlGaN层；2)通过光刻和干法刻蚀去除部分区域的p‑GaN层或p‑AlGaN层，以及多量子阱层和部分n‑AlGaN层，露出n‑AlGaN层表面；3)通过剥离的方法在n‑AlGaN层表面上制作n型欧姆接触金属，并高温退火；4)腐蚀去除n‑AlGaN层上的n型欧姆接触金属；5)在p‑GaN层或p‑AlGaN层的表面上制作一层p型欧姆接触层，并退火，该p型欧姆接触层也为反射镜层；6)在p型欧姆接触层的表面制作一层能够包覆该p型欧姆接触层的金属阻挡层；7)在金属阻挡层和n‑AlGaN层表面上生长一层绝缘层，在绝缘层上光刻出n‑AlGaN层的欧姆接触部分，并通过腐蚀去除该欧姆接触部分上的绝缘层后，再在该欧姆接触部分上生长n型欧姆接触层，并退火；8)通过后续加工工艺制得倒装薄膜结构紫外LED芯片或普通倒装结构紫外LED芯片。