[发明专利]顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201711177281.8 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107946368B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 周志超;夏慧;陈梦 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管。本发明的顶栅型薄膜晶体管的制作方法首先在衬底基板上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层，利用第一道光罩在所述第二绝缘层上形成相间隔的第一过孔和第二过孔，在所述第一绝缘层上于第一过孔和第二过孔下方形成贯穿槽，该贯穿槽将所述第一过孔和第二过孔连通起来，与所述第一过孔和第二过孔共同构成垂直U型沟槽，然后在该垂直U型沟槽内填充形成有源层，最后利用第二道光罩在第二绝缘层上形成源极、漏极、栅极，简化了顶栅型薄膜晶体管的结构，减少了光罩制程数，用两道光罩即可完成一种具有垂直U型沟道的顶栅型薄膜晶体管的制作，节省了工艺制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 顶栅型 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上依次沉积第一绝缘层(20)、第二绝缘层(30)；步骤S2、提供第一道光罩(81)，利用该第一道光罩(81)在所述第二绝缘层(30)上形成第一光刻胶层(90)，以所述第一光刻胶层(90)为遮蔽层，对所述第二绝缘层(30)进行蚀刻，在所述第二绝缘层(30)上形成相间隔的第一过孔(31)和第二过孔(32)；步骤S3、对所述第一绝缘层(20)进行蚀刻，在所述第一过孔(31)和第二过孔(32)下方形成与第一过孔(31)和第二过孔(32)均相连通的贯穿槽(21)，该贯穿槽(21)与所述第一过孔(31)和第二过孔(32)共同构成垂直U型沟槽(25)；步骤S4、提供半导体溶液，将所述半导体溶液涂敷至所述垂直U型沟槽(25)内，固化形成填充于该垂直U型沟槽(25)的有源层(40)；去除所述第一光刻胶层(90)；步骤S5、提供第二道光罩(82)，利用该第二道光罩(82)在所述第二绝缘层(30)上图案化形成相间隔的源极(51)、漏极(52)、栅极(55)，所述栅极(55)设于所述第一过孔(31)和第二过孔(32)之间的第二绝缘层(30)上，所述源极(51)和漏极(52)设于所述栅极(55)的两侧并分别覆盖所述第一过孔(31)和第二过孔(32)内的有源层(40)而与有源层(40)相接触。
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