[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201711160298.2 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946367B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李栋;詹裕程 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管，该制作方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成多晶硅构成的有源层；在有源层上形成具有预设本征张应力的第一栅绝缘层。由于在本发明的技术方案中，受第一栅绝缘层预设本征张应力的作用，有源层中多晶硅的晶格尺寸会发生变化，从而可有效提高薄膜晶体管的载流子迁移率。由此可见，本发明的技术方案在不增加额外工艺或结构的前提下，通过设置第一栅绝缘层的本征张应力进一步提高了薄膜晶体管的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成多晶硅构成的有源层；其特征在于，还包括：在所述有源层上形成具有预设本征张应力的第一栅绝缘层。
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