[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201711098506.0 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109427717A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;邱文智;叶松峯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/528;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；第一裸片，其安置在所述衬底之上；第二裸片，其安置在所述衬底之上；模制物，其安置在所述衬底之上且环绕所述第一裸片及所述第二裸片；互连结构，其包含介电层及导电部件，其中所述介电层安置在所述第一裸片、所述第二裸片及所述模制物之上，且所述导电部件由所述介电层环绕；及通路，其延伸于所述第二裸片内且延伸于所述介电层与所述衬底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 裸片 衬底 介电层 半导体结构 安置 导电部件 模制物 环绕 互连结构 延伸 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：衬底；第一裸片，其安置在所述衬底之上；第二裸片，其安置在所述衬底之上；模制物，其安置在所述衬底之上且环绕所述第一裸片及所述第二裸片；互连结构，其包含介电层及导电部件，其中所述介电层安置在所述第一裸片、所述第二裸片及所述模制物之上，且所述导电部件由所述介电层环绕；及通路，其延伸于所述第二裸片内且延伸于所述介电层与所述衬底之间。
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