[发明专利]晶体管结构和晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201711076141.1 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108054214B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 黄北洲 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管结构和晶体管的制作方法。本发明所述的薄膜晶体管结构包括：源极，漏极，以及源极和漏极之间的有源层；所述有源层包括铟镓锌氧化物框架，所述有源层包括铟镓锌氧化物框架，所述铟镓锌氧化物框架内设置包含铟镓锌氧化物的合成纳米材料。本发明可以提升薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：源极，漏极，以及源极和漏极之间的有源层；绝缘层，形成在有源层上；介电层，形成在绝缘层上；栅极，形成在介电层上；钝化层，形成在栅极上；所述有源层包括铟镓锌氧化物框架，所述铟镓锌氧化物框架内设置包含铟镓锌氧化物的合成纳米材料。
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