[发明专利]像素结构、其制作方法以及使用其的显示器有效
申请号: | 201710893892.6 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107658318B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 陈发祥;林世亮;吴彦佑;王培筠 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种像素结构,包含第一金属层、半导体层、隔离层以及第二金属层。第一金属层设置于基板上,并包含保护部及辅助部,其中辅助部不与保护部连接。半导体层设置于第一金属层上,且半导体层于基板的垂直投影与保护部于基板的垂直投影至少部分重叠。隔离层设置于半导体层上,其中至少一第一通孔贯穿隔离层。第二金属层设置于隔离层上,并具有第一连接部及第二连接部,其中第二连接部的至少一部分位于第一通孔内,且第二连接部于基板的垂直投影与辅助部于基板的垂直投影至少部分重叠。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 制作方法 以及 使用 显示器 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包含:一第一金属层,设置于一基板上,并包含一保护部及一辅助部,其中该辅助部不与该保护部连接;一半导体层,设置于该第一金属层上,且该半导体层于该基板的垂直投影与该保护部于该基板的垂直投影至少部分重叠;一隔离层,设置于该半导体层上,其中至少一第一通孔贯穿该隔离层;以及一第二金属层,设置于该隔离层上,并具有一第一连接部及一第二连接部,其中该第二连接部的至少一部分位于该第一通孔内,且该第一连接部于该基板的垂直投影与该半导体层于该基板的垂直投影至少部分重叠,而该第二连接部于该基板的垂直投影与该辅助部于该基板的垂直投影至少部分重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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