[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，其能够降低功耗。在该半导体器件中，半导体芯片堆叠在基底芯片上。堆叠的芯片包括作为第一组的n个直通硅通孔以及作为第二组的m个直通硅通孔。在第一组和第二组的每个中，通过移位循环法耦合直通硅通孔，其中下部芯片的第1至第(n‑1)(第(m‑1))个直通硅通孔分别与上部芯片的第2至第n(第m)个直通硅通孔耦合，且下部芯片的第1至第n(第m)个直通硅通孔与上部芯片的第1个直通硅通孔耦合。n和m仅具有一个公约数。借助通过第一组的直通硅通孔传送的第一选择信号以及通过第二组的直通硅通孔传送的第二选择信号的组合控制堆叠半导体芯片的激活。

主权项

一种半导体器件，包括：基底芯片，所述基底芯片具有存储器控制电路，以控制向存储数据的存储器区输入数据以及从所述存储器区输出数据；以及多个存储器芯片，所述多个存储器芯片中的每个具有作为所述存储器区的一部分的存储器电路，并且以堆叠在所述基底芯片上方的方式布置，多个存储器空间中的一个被分配到所述存储器芯片中的每个，所述多个存储器空间是通过针对每个给定的存储器容量来划分所述存储器区而获得的，所述存储器芯片中的每个包括：n个第一直通硅通孔，所述n个第一直通硅通孔从所述基底芯片传送指示将被激活的所述存储器空间的第一选择信号，并且贯穿半导体衬底，其中n是整数；m个第二直通硅通孔，所述m个第二直通硅通孔从所述基底芯片传送指示将被激活的所述存储器芯片的第二选择信号，并且贯穿所述半导体衬底，其中m是整数；用于移位循环耦合的第一内部布线，其中，下部芯片的第1至第(n‑1)第一直通硅通孔分别与上部芯片的第2至第n第一直通硅通孔耦合，并且所述下部芯片的第n第一直通硅通孔与所述上部芯片的第1第一直通硅通孔耦合；以及用于移位循环耦合的第二内部布线，其中，所述下部芯片的第1至第(m‑1)第二直通硅通孔分别与所述上部芯片的第2至第m第二直通硅通孔耦合，并且所述下部芯片的第m第二直通硅通孔与所述上部芯片的第1第二直通硅通孔耦合，其中，n和m被设定为仅具有一个公约数，以及其中，通过所述第一选择信号和所述第二选择信号的组合来控制所述存储器芯片的激活。