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[发明专利]用于压缩安装技术和焊盘网格阵列连接器加载的DIMM保持组件-CN202210943258.X在审
发明人：李祥;G·韦尔吉斯;P·耿 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：系统、装置和方法可以提供包括存储器模块、主板和耦合到存储器模块和主板的闩锁组件的技术，该闩锁组件包括：耦合到主板的连接器，通过第一枢轴点耦合到连接器的第一杆，延伸穿过第一杆中的开口的L形负载构件，通过第二枢轴点耦合到L形负载构件的第二杆，以及用于将L形负载构件偏置远离所述第一杆中的开口的弹簧。闩锁组件可以用作用于压缩安装技术(CMT)和焊盘网格阵列(LGA)连接器加载的双列直插式存储器模块(DIMM)保持组件。
用于压缩安装技术网格阵列连接器加载 dimm 保持组件

[实用新型]存储器装置-CN202221330476.8有效
发明人：包家豪;林建隆;杨智铨;张瑞文;张朝渊;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：一种存储器装置，包含存储器单元矩阵、预充电电路，以及预充电辅助电路。存储器单元矩阵具有多个存储器单元，多个存储器单元排列在具有多个行及多个列的矩阵中。多个行中的每一行包含连接至第一位元线及第二位元线的第一多个存储器单元。预充电电路连接存储器单元矩阵。预充电电路从第一端预充电第一位元线及第二位元线。预充电辅助电路连接存储器单元矩阵。预充电辅助电路从第二端预充电第一位元线及第二位元线。
存储器装置

[发明专利]接点排列及电子总成-CN202210014695.3在审
发明人：张乃舜;陈咏涵;陈再生;谭昌黎;欧阳圣邦 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本发明公开一种接点排列及电子总成，其中该接点排列包括多个接点群。这些接点群的至少一个包括多个共用接点、多个专用接点及多个接地接点。这些共用接点在一第一模式及一第二模式下传递对应第一模式及第二模式的信号。这些专用接点只传递对应第一模式的信号且不传递对应第二模式的信号。这些接地接点围绕这些共用接点及这些专用接点。
接点排列电子总成

[发明专利]存储器阵列中的存取线的减小的电阻率-CN202110930321.1在审
发明人：韦磊;A·T·巴顿 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本申请是针对存储器阵列中的存取线的减小的电阻率。第一金属层可形成于通孔上方，所述通孔配置成使存储器阵列的存取线与对应驱动器耦合。所述第一金属层可氧化，且随后第二金属层可形成于所述氧化的第一金属层上方。所述存储器装置的一或多个存取线可由所述第二金属层、所述氧化的第一金属层或两者形成。
存储器阵列中的存取减小电阻率

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202110230783.2在审
发明人：罗双强 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包含延伸穿过交替的导电层和绝缘层的堆叠的沟道材料柱。第二区域邻近所述存储器阵列区域。导电扩展件位于所述存储器阵列区域内并且与所述沟道材料柱的沟道材料电耦接。面板跨所述存储器阵列区域和所述第二区域延伸。所述面板将一个存储器块区域与另一个存储器块区域分离。所述面板具有位于所述导电扩展件之上的第一部分并且具有邻近所述第一部分的第二部分。所述面板具有底部表面。所述底部表面的第一区段邻近所述导电扩展件的上表面。所述第二部分内的所述底部表面的区段相对于所述第一区段在高度上偏移。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]面向动态随机存储器和非易失性存储器混合主存的光网络-CN201811487205.1有效
发明人：顾华玺;赵龙;杨银堂;王琨;王康 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向动态随机存储器和非易失性存储器混合主存的光网络，主要解决现有技术中通信时延高，并行性差和能效低，及无法灵活支持多种混合主存系统的问题。其包括n个计算节点、i个内存控制器模块、k个动态随机存储器DRAM模块、m个非易失性存储器NVM模块和一个通信子网。该通信子网计由垂直光波导、环形光波导、窄带微环谐振器和宽带微环谐振构成，实现内存控制模块与动态随机存储器DRAM模块和非易失性存储器NVM模块之间的并行通信，通过在通信子网中合理布局光波导和微环谐振器，实现同一波长在不同光波导中的重复且无冲突利用。本发明降低了时延，提高了并行性，可用于计算系统与存储系统之间的通信。
面向动态随机存储器非易失性存储器混合主存网络

[实用新型]一种基于通用存储系统的硬盘转接板-CN201721744308.2有效
发明人：姜开永;张燕群 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于通用存储系统的硬盘转接板，包括硬盘接口、硬盘背板接口、第一电源保护单元、第二电源保护单元、绿色硬盘指示灯以及红色硬盘指示灯；硬盘背板接口与第二电源保护单元连接，第二电源保护单元与第一电源保护单元和硬盘接口连接，硬盘接口还与硬盘背板接口连接，硬盘接口与绿色硬盘指示灯连接，硬盘背板接口与红色硬盘指示灯连接；硬盘接口连接有硬盘，硬盘背板接口连接有硬盘背板。本实用新型实现了每个硬盘的模块化管理，硬盘的电源保护单元损坏或者硬盘接口以及硬盘背板接口损坏时，只需更换相应的硬盘转接板，而无需更换整块背板，可维护性好，使用方便。
硬盘背板电源保护单元硬盘接口硬盘指示灯硬盘硬盘转接板接口连接通用存储本实用新型模块化管理接口损坏可维护性硬盘转接背板整块

[发明专利]用于SRAM单元的装置-CN201210244358.X有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于SRAM单元的装置。其中，一种存储单元，包括第一字线，形成在第一互连层中；第一VSS线、第一位线、电源线、第二位线和第二VSS线，形成在第二互连层中；第二字线，形成在第三互连层中。存储单元进一步包括字线跨接结构，形成在电源线和第二位线之间，其中，字线跨接结构连接第一字线和第二字线。
用于 sram 单元装置

[发明专利]存储器与存储器储存装置-CN201410193761.3在审
发明人：林正隆;梁万栋;徐政玮 -专利权人：森富科技股份有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种存储器与存储器存储装置，所述存储器包括基板与多个存储器焊垫。多个存储器焊垫配置于基板的四周以形成回字型，并且多个存储器焊垫以镜像方式来形成左右对称且布局线路连通的组态以简化布局线路的复杂度。如此的球位设计，可增加终端应用产品的线路特性整合的设计弹性与便利性，并且可以系统主板直接做信号对接，也容易达成倍增存储器容量的设计。
存储器储存装置

[发明专利]三轴磁场传感器-CN201080005490.4有效
发明人： P·马瑟;J·斯劳特;N·里佐 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：三个电桥电路(101、111、121)每一均包括耦合成惠斯通电桥(100)的磁电阻传感器，以在三个正交方向(110、120、130)上感测磁场(160)，它们是通过单个钉扎材料淀积和体晶片设定工序来设定的。三个电桥电路中的一个(121)包括第一磁电阻传感器(141)，其包括：第一感测元件(122)，设置在钉扎层(126)上，第一感测元件(122)具有第一和第二边缘以及第一和第二面；以及第一通量引导件(132)，设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第一边缘和第一面的末端。可选的第二通量引导件(136)可以被设置为与衬底的第一面不平行，并且具有接近第一感测元件(122)的第二边缘和第二面的末端。
磁场传感器

[发明专利]多磁区存储装置及磁区分割方法-CN200710093688.2无效
发明人：吴智伟;徐宏欣 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本发明揭露一种多磁区存储装置与磁区分割方法，通过利用一跨接器插设于具有一内接插槽的存储卡上，可分开独立或同时控制存储卡内多个存储器晶粒。其组合成的存储装置具有与市面上存储卡相容的规格与尺寸，故可相容使用于所需产品上且不会影响薄型存储卡的插接。
磁区存储装置分割方法

[发明专利]堆叠式存储器模组-CN99121936.8无效
发明人：沈明东 -专利权人：沈明东
申请日： 1999-10-15 - 公布日： 2001-05-02 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：一种堆叠式存储器模组,包括一具一第一安装表面和一第二安装表面且形成数个电镀贯孔的晶元安装体,至少两各具一设置数个黏接垫的黏接垫安装表面的晶元,至少两分别置于其中一晶元与第一安装表面之间及另一晶元与第二安装表面之间的绝缘胶带层,数个安装在印刷电路板上的锡球,其是设在晶元安装体的一安装表面上,且与对应的电镀贯孔对准及与孔形成壁上的导电材料电连接;多层堆叠式存储器模组由至少两个堆叠式存储器模组组成。
堆叠存储器模组

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