[发明专利]MEMS器件的封装方法及微执行器的制备方法在审
| 申请号： | 201710804342.2 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN109467045A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 黄河;俞挺;程伟;侯克玉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS器件的封装方法，包括在第一衬底的第一表面上刻蚀形成盲孔；在所述盲孔内制作形成导电柱；在所述第一表面上制作形成第一布线层，所述第一布线层与所述导电柱接触；对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面进行刻蚀，直至使所述盲孔成为通孔且使所述导电柱暴露；在所述第一布线层上制作形成第一键合环；在第二衬底上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线；在所述第二衬底上制作形成第二键合环，所述第二键合环与所述器件导出线连接；键合所述第一键合环和所述第二键合环。该封装方法加工效率高，封装成本低，连线的长度较短，大大缩短了信号的传输路径，减小了器件与外界电路之间的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 键合 衬底 封装 第一表面 布线层 导电柱 盲孔 制作 导出线 刻蚀 传输路径 第二表面 加工效率 外界电路 微执行器 电阻 减小 连线 通孔 制备 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的封装方法，其特征在于，包括：在第一衬底(20)的第一表面(20a)上刻蚀形成盲孔(21)；在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30)；在所述第一表面(20a)上制作形成第一布线层(40)，所述第一布线层(40)与所述导电柱(30)接触；对所述第一衬底(20)的与所述第一表面(20a)相对的第二表面(20b)进行刻蚀，直至使所述盲孔(21)成为通孔且使所述导电柱(30)暴露；在所述第一布线层(40)上制作形成第一键合环(50)；在第二衬底(10)上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线(11)；在所述第二衬底(10)上制作形成第二键合环(12)，所述第二键合环(12)与所述器件导出线(11)连接；键合所述第一键合环(50)和所述第二键合环(12)。
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