[发明专利]一种SiC高压功率器件结终端的制备方法有效
| 申请号： | 201710801218.0 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107546114B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李志强;李俊焘;徐星亮;张林;代刚 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/06 |
| 代理公司： | 51211 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC高压功率器件结终端的制备方法。首先，根据不同等级的阻断电压需求确定台阶级数（2 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 高压 功率 器件 终端 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC高压功率器件结终端的制备方法，其特征在于制备步骤如下：/n（1）提供一块制备高压功率器件的SiC半导体衬底；所述SiC材料用于制备结终端结构的材料层厚度为D；/n（2）通过光刻定义1级台阶区域，反应离子刻蚀掉1级台阶区域的氧化硅层后，去除光刻胶形成SiC刻蚀硬掩膜；然后刻蚀台阶区域，刻蚀深度为d1，然后去除氧化硅硬掩膜层，形成1级台阶；/n（3）在1级台阶上，先制作氧化硅硬掩膜层，然后刻蚀台阶区域，刻蚀深度为(D-d1)/2，然后去除氧化硅硬掩膜层，形成2级台阶区域；/n（4）根据设计需要，同样的制作方法，在2
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
