[发明专利]一种SiC高压功率器件结终端的制备方法

权利要求书

1.一种SiC高压功率器件结终端的制备方法，其特征在于制备步骤如下：

（1）提供一块制备高压功率器件的SiC半导体衬底；所述SiC材料用于制备结终端结构的材料层厚度为D；

（2）通过光刻定义1级台阶区域，反应离子刻蚀掉1级台阶区域的氧化硅层后，去除光刻胶形成SiC刻蚀硬掩膜；然后刻蚀台阶区域，刻蚀深度为d1，然后去除氧化硅硬掩膜层，形成1级台阶；

（3）在1级台阶上，先制作氧化硅硬掩膜层，然后刻蚀台阶区域，刻蚀深度为(D-d1)/2，然后去除氧化硅硬掩膜层，形成2级台阶区域；

（4）根据设计需要，同样的制作方法，在2 ^n-1级台阶上制作氧化硅硬掩膜层，然后刻蚀制作2ⁿ级台阶，刻蚀深度为(D-d1)/2ⁿ，然后去除氧化硅硬掩膜层，形成2ⁿ级台阶，其中，n＞1；

（5）在2ⁿ级台阶上先制作氧化硅硬掩膜层，然后刻蚀台阶区域，刻蚀深度为(D-d1)/2ⁿ +d_OE μm，d_OE是隔离过刻蚀量，d_OE的取值范围在1~3μm；然后去除氧化硅硬掩膜层，完成SiC高压功率器件隔离。

2.根据权利要求1所述的SiC高压功率器件结终端的制备方法，其特征在于：所述刻蚀台阶区域采用的刻蚀方法均为反应离子刻蚀方法或感应耦合等离子体刻蚀方法。

3.根据权利要求1所述的SiC高压功率器件结终端的制备方法，其特征在于：所述去除氧化硅硬掩膜层均是采用氢氟酸或缓冲氧化物刻蚀液去除。