[发明专利]含有半导体纳米晶体的发光器件有效
| 申请号： | 201710772330.6 | 申请日： | 2006-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107507895B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 芒吉.G.巴温迪;弗拉迪米尔.布洛维克;塞思.科-沙利文;让-米歇尔.卡鲁奇;乔纳森.斯特克尔;亚历克西.阿兰戈;乔纳森.E.哈尔珀特 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/36;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 发光器件包括多个半导体纳米晶体和包含无机材料的电荷传输层。电荷传输层可以是空穴或电子传输层。无机材料可以是无机半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 半导体 纳米 晶体 发光 器件 | ||
【主权项】：
发光器件，包括：包括第一无机材料的第一电荷传输层，其与第一电极接触，该第一电极被布置以在该第一电荷传输层中引入电荷；第二电极；和布置在该第一电极和第二电极之间的多个胶体生长的半导体纳米晶体，其中所述多个胶体生长的半导体纳米晶体与所述第一电荷传输层电接触；和邻近纳米晶体的轻微掺杂层，其中所述轻微掺杂层以使非辐射损失最小化的有效量掺杂，该损失是由于通过电荷传输层中的无束缚的电荷载流子的激子猝灭引起的，其中掺杂层包括无机材料，和其中掺杂物包括氧缺陷、卤素掺杂物、混合的金属、p型掺杂物或n型掺杂物。
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