[发明专利]一种CIS器件的封装方法及结构有效

专利信息
申请号: 201710720105.8 申请日: 2017-08-21
公开(公告)号: CN107481946B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 王训堂 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 马永芬
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种CIS器件的封装方法及结构,其中,方法包括:将CIS芯片倒装在晶圆上,至少CIS芯片的微透镜嵌入晶圆中,CIS芯片具有通孔,通孔内填充有导电材料,导电材料将CIS芯片正面的焊盘连接至CIS芯片的背面;在晶圆上进行封装,CIS芯片外侧形成封装层;将封装层减薄至露出通孔内的导电材料;在CIS芯片背面制备线路层,线路层与导电材料连接,在线路层表面制备绝缘层,在绝缘层上的开窗处制备凸点,凸点与线路层连接。这种CIS器件的封装方法将CIS芯片放置于晶圆中,通过封装材料将CIS芯片与晶圆进行结合,具有封装尺寸小、透光率高、工艺操作简单和生产成本低的优点。
搜索关键词: 一种 cis 器件 封装 方法 结构
【主权项】:
1.一种CIS器件的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:将CIS芯片倒装在晶圆上,至少所述CIS芯片的微透镜嵌入所述晶圆中,所述CIS芯片具有通孔,所述通孔内填充有导电材料,所述导电材料将所述CIS芯片正面的焊盘连接至所述CIS芯片的背面;在所述晶圆上进行封装,所述CIS芯片外侧形成封装层;将所述封装层减薄至露出所述通孔内的导电材料;在所述CIS芯片背面制备线路层,所述线路层与所述导电材料连接,在所述线路层表面制备绝缘层,在所述绝缘层上的开窗处制备凸点,所述凸点与所述线路层连接;所述将所述CIS芯片倒装在晶圆上,至少所述CIS芯片的微透镜嵌入所述晶圆中的步骤中,包括:在晶圆上制备第一凹槽,在第一凹槽底部制备第二凹槽,所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的底部,所述CIS芯片的外边缘的宽度小于所述第一凹槽的宽度,大于所述第二凹槽的宽度;将所述CIS芯片放置于所述第一凹槽的底部,所述CIS芯片微透镜位于所述第二凹槽内;或者,所述将所述CIS芯片倒装在晶圆上,至少所述CIS芯片的微透镜嵌入所述晶圆中的步骤中,包括:在晶圆上制备凹槽(013),凹槽(013)的宽度小于CIS芯片的外边缘,CIS芯片上的微透镜位于凹槽(013)内。
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