[发明专利]一种CIS器件的封装方法及结构有效
申请号: | 201710720105.8 | 申请日: | 2017-08-21 |
公开(公告)号: | CN107481946B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 王训堂 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马永芬 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种CIS器件的封装方法及结构,其中,方法包括:将CIS芯片倒装在晶圆上,至少CIS芯片的微透镜嵌入晶圆中,CIS芯片具有通孔,通孔内填充有导电材料,导电材料将CIS芯片正面的焊盘连接至CIS芯片的背面;在晶圆上进行封装,CIS芯片外侧形成封装层;将封装层减薄至露出通孔内的导电材料;在CIS芯片背面制备线路层,线路层与导电材料连接,在线路层表面制备绝缘层,在绝缘层上的开窗处制备凸点,凸点与线路层连接。这种CIS器件的封装方法将CIS芯片放置于晶圆中,通过封装材料将CIS芯片与晶圆进行结合,具有封装尺寸小、透光率高、工艺操作简单和生产成本低的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 cis 器件 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种CIS器件的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:将CIS芯片倒装在晶圆上,至少所述CIS芯片的微透镜嵌入所述晶圆中,所述CIS芯片具有通孔,所述通孔内填充有导电材料,所述导电材料将所述CIS芯片正面的焊盘连接至所述CIS芯片的背面;在所述晶圆上进行封装,所述CIS芯片外侧形成封装层;将所述封装层减薄至露出所述通孔内的导电材料;在所述CIS芯片背面制备线路层,所述线路层与所述导电材料连接,在所述线路层表面制备绝缘层,在所述绝缘层上的开窗处制备凸点,所述凸点与所述线路层连接;所述将所述CIS芯片倒装在晶圆上,至少所述CIS芯片的微透镜嵌入所述晶圆中的步骤中,包括:在晶圆上制备第一凹槽,在第一凹槽底部制备第二凹槽,所述第二凹槽的宽度小于所述第一凹槽的底部,所述CIS芯片的外边缘的宽度小于所述第一凹槽的宽度,大于所述第二凹槽的宽度;将所述CIS芯片放置于所述第一凹槽的底部,所述CIS芯片微透镜位于所述第二凹槽内;或者,所述将所述CIS芯片倒装在晶圆上,至少所述CIS芯片的微透镜嵌入所述晶圆中的步骤中,包括:在晶圆上制备凹槽(013),凹槽(013)的宽度小于CIS芯片的外边缘,CIS芯片上的微透镜位于凹槽(013)内。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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