[发明专利]一种高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710636279.6 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109285882A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘梅 | 申请（专利权）人： | 刘梅 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211100 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件领域，特别涉及一种高电子迁移率晶体管。针对氮化镓基高电子迁移率晶体管的自热效应进行优化设计，其技术方案为：一种高电子迁移率晶体管，包括衬底、衬底以上依次生长的成核层、沟道层、势垒层，以及势垒层上的源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层；其特征在于，栅极与钝化层之间还设有高热导率材料层，高热导率材料层与势垒层接触。本发明通过高热导率材料层将栅极附近有源区的热能传导到器件的表面，从而有效降低器件有源区的温度，实现器件沟道温度的降低，改善器件的电气特性，使得器件可以在更高温度、更高功率下正常工作，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 高热导率材料层 势垒层 钝化层 衬底 漏极 源极 源区 氮化镓基高电子迁移率晶体管 半导体器件领域 电气特性 降低器件 器件沟道 热能传导 优化设计 自热效应 成核层 高功率 沟道层 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，包括衬底、衬底以上依次生长的成核层、沟道层、势垒层，以及势垒层上的源极、栅极、漏极、源极与栅极之间及栅极与漏极之间的钝化层；其特征在于，栅极与钝化层之间还设有高热导率材料层，高热导率材料层与势垒层接触。
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